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坚持“中国芯”,国家级专精特新“小巨人”锴威特成功登陆科创板
责任编辑:南亚网视 刘美玉
发布时间:2023-09-14 23:14

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南亚网视加德满都9月14日讯 据环球网报道,近日,苏州锴威特半导体股份有限公司在公开发行A股(股票代码:688693,股票简称:锴威特),并在上交所科创版成功上市。此次上市,锴威特公开发行人民币普通股1,842.1053万股,募集资金总额7.52亿元,主要用于智能功率半导体研发升级项目、SiC功率器件研发升级项目、功率半导体研发工程中心升级项目、补充营运资金。

作为一家专注于功率半导体设计的公司,锴威特自2015年成立以来始终坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展理念,专注于智能功率半导体器件与功率集成芯片设计、研发和销售。主要产品包含功率器件及功率IC两大类。功率器件方面,公司产品以高压平面MOSFET为主, 并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品,实现40-1500的电压段覆盖。在功率IC方面,公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。此外,在第三代半导体方面,公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。

打破国外技术垄断,助力国产半导体崛起

锴威特功率器件产品以MOSFET为主,长期以来国外品牌凭借先进的技术优势和人才优势,占据全球MOSFET市场的主要份额。但近年来,国产品牌经过多年的技术研究和发展,已在国际竞争中占有一席之地。

数据来源:Omdia

而据Omdia数据统计,以锴威2020年MOSFET产品销售额测算,锴威特全球MOSFET市场份额约为0.23%;结合芯谋研究和Omdia数据测算,锴威特2021年平面MOSFET国内市场占有率约为1.26%。

根据江苏省半导体行业协会统计,以销售额计算2021年公司FRMOS市场份额位列本土企业第四位(前三位分别为华润微、士兰微、华微电子),锴威特是国内为数不多的具备650V-1700V SiC MOSFET设计能力的企业之一,产品已覆盖业内主流电压段。

功率IC方面, 在众多国外品牌占据领先地位,市场竞争激烈的情况下,发行人功率IC产品已向多家高可靠领域客户形成销售,部分客户向发行人采购的功率IC产品目前没有其他国内供应商可以替代,锴威特在高可靠领域已取得了一定的市场地位。

坚持自主创新,攻坚核心技术

锴威特通过自主创新和技术沉淀,已同时具备功率器件和功率IC的设计、研发能力。截至股票发行期,公司已掌握了功率半导体芯片的前端设计技术,自主搭建了多个功率半导体细分产品的技术平台;同时,公司与晶圆代工厂深度合作,进一步优化了产品性能。截至2023年7月13日,公司已获授权专利71项(其中发明专利28项、实用新型专利43项,另有2项发明专利已获授予专利通知书,待取得专利证书),集成电路布图设计专有权53项。

经过多年的研究,锴威特已同时具备硅基及SiC基功率器件的设计、研发能力,积累了多项具有原创性和先进性的核心技术,其中3项达到国际先进水平,1项达到国内领先水平。在平面MOSFET方面,公司核心技术包括“高可靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”等。其中,公司利用“高压MOSFET的少子寿命控制及工艺实现技术”研发并量产的FRMOS产品具有反向恢复时间短、漏电流小、高温特性好、反向恢复特性较软、低电磁干扰的优势特性;在第三代半导体器件方面,公司利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。上述核心技术有效提升了公司产品性能指标,增强了产品市场竞争力。在功率IC方面,公司自主研发了“一种全电压范围多基准电压同步调整电路及高精准过压保护电路”“一种输入失调电压自动修正电路”等核心技术,有效提升了产品参数一致性,增强了产品可靠性。

公司是国家级高新技术企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业、国家级专精特新“小巨人”企业,并荣获由中国电子信息发展研究院(赛迪研究院)评选的第十六届(2021年度)和第十五届(2020年度)“中国芯”优秀技术创新产品奖;由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会等机构联合评选的第十四届(2019年度)和第十二届(2017年度)中国半导体创新产品和技术奖。公司还获得了汉磊科技“最佳合作伙伴”“最佳业绩成长”的合作商奖项,芯片设计和工艺调试能力得到业内知名晶圆代工厂的认可。

让国产“硬科技”产生更多辐射作用

谈及未来,锴威特表示,公司将继续专注于功率半导体的设计、研发与销售,坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展定位。在继续专注消费电子、工业控制和高可靠领域的同时,在新能源汽车、光伏能源、轨道交通、智能电网等领域也将展开布局;在目前掌握的核心技术基础上,锴威特将展开产品系列化及下游市场的进一步拓展、延伸。具体包括:

在功率MOSFET方面,公司将开发适用于智能电网的超高压产品系列,进一步提升器件功率密度,降低开关损耗,不断拓展产品在工业控制和高可靠领域的应用。

在SiC功率器件方面,公司将在现有设计及工艺平台基础上,围绕新能源汽车、光伏发电应用领域等,展开产品系列化研发及可靠性改善提升的研究,不断丰富产品系列。

在功率IC方面,公司将加强研发投入,基于积累的IP核,在高可靠、安防等应用领域等实现产品系列化开发及规模化量产。同时,公司还将加强对产品可靠性考核及测试筛选平台的建设投入,不断提升公司产品在高可靠领域国产化替代的竞争优势及服务能力。(完)

(责任编辑:刘美玉 审核:罗蒙山)

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